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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别:VIP 7年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 631
  • 名称:DMN4026SSD-13
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:7 ARds On-漏源导通电阻:20 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值
    更新:2022-08-22 09:53:10
  • 632
  • 名称:DMN4060SVT-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOT-26-6晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:45 VId-连续漏极电流:4.8 ARds On-漏源导通电阻:46 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-
    更新:2022-08-22 09:49:46
  • 633
  • 名称:DMN4468LSS-13
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:20 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈
    更新:2022-08-22 09:47:05
  • 634
  • 名称:DMN5L06DWK-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:50 VId-连续漏极电流:305 mARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 09:45:02
  • 635
  • 名称:DMN5L06K-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:50 VId-连续漏极电流:300 mARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
    更新:2022-08-22 09:34:49
  • 636
  • 名称:DMN5L06VAK-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-563-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:50 VId-连续漏极电流:280 mARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 09:32:53
  • 637
  • 名称:DMN601K-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:800 mARds On-漏源导通电阻:3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
    更新:2022-08-22 09:30:31
  • 638
  • 名称:DMN601TK-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-523-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:300 mARds On-漏源导通电阻:3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 09:23:15
  • 639
  • 名称:DMN6040SSD-13
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:40 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值
    更新:2022-08-20 11:16:29
  • 640
  • 名称:DMN6066SSD-13
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:3.3 ARds On-漏源导通电阻:48 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
    更新:2022-08-20 11:13:09
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