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深圳市炎凯科技有限公司
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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别：VIP 7年
营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 1491
  • 名称：SI2323CDS-T1-GE3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:39 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷
    更新：2022-08-03 10:45:25
  • 1492
  • 名称：SI2323DDS-T1-GE3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:5.3 ARds On-漏源导通电阻:39 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
    更新：2022-08-03 10:43:32
  • 1493
  • 名称：SI2323DS-T1-E3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4.7 ARds On-漏源导通电阻:39 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:400 mVQg
    更新：2022-08-03 10:41:38
  • 1494
  • 名称：SI2323DS-T1-GE3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4.7 ARds On-漏源导通电阻:39 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
    更新：2022-08-03 10:39:50
  • 1495
  • 名称：SI2324DS-T1-GE3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:2.3 ARds On-漏源导通电阻:234 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2
    更新：2022-08-03 10:38:10
  • 1496
  • 名称：SI2325DS-T1-E3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:690 mARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.5
    更新：2022-08-03 10:36:17
  • 1497
  • 名称：SI2325DS-T1-GE3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:530 mARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4.5
    更新：2022-08-03 10:23:31
  • 1498
  • 名称：SI2328DS-T1-E3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:1.15 ARds On-漏源导通电阻:250 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4 V
    更新：2022-08-03 10:19:22
  • 1499
  • 名称：SI2333CDS-T1-GE3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:7.1 ARds On-漏源导通电阻:35 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
    更新：2022-08-03 10:03:48
  • 1500
  • 名称：SI2333DDS-T1-GE3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:23 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷
    更新：2022-08-03 10:01:16
电话： 0755-89587732 0755-89587732-8004 传真：-- Email： 联系人： 白小姐 范小姐 深圳市龙岗区中浩一路孺子牛大厦
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