- 深圳市炎凯科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1501
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- 名称：SI2337DS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:80 VId-连续漏极电流:2.2 ARds On-漏源导通电阻:270 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg
- 更新：2022-08-03 09:57:46
- 1502
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- 名称：SI2343CDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:5.9 ARds On-漏源导通电阻:45 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.5 VQ
- 更新：2022-08-03 09:55:10
- 1503
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- 名称：SI2343DS-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:3.1 ARds On-漏源导通电阻:53 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-
- 更新：2022-08-03 09:51:37
- 1504
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- 名称：SI3424BDV-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1.1 mm长度:3.05 mm产品类型:MOSFET系列:SI3工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:1.65 mm零件号别名:SI3424BDV-E3单位重量:20 mg
- 更新：2022-08-03 09:48:20
- 1505
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- 名称：SI3424DV-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SI3工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs零件号别名:SI3424DV-E3单位重量:20 mg
- 更新：2022-08-03 09:43:07
- 1506
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- 名称：SI3430DV-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:2.4 ARds On-漏源导通电阻:170 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-
- 更新：2022-08-03 09:41:29
- 1507
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- 名称：SI3433CDV-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:38 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷:1
- 更新：2022-08-03 09:38:08
- 1508
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- 名称：SI3437DV-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:1.4 ARds On-漏源导通电阻:750 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-
- 更新：2022-08-03 09:22:11
- 1509
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- 名称：SI3443CDV-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:5.97 ARds On-漏源导通电阻:100 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5 VQ
- 更新：2022-08-03 09:20:12
- 1510
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- 名称：SI3446DV-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1.1 mm长度:3.05 mm产品类型:MOSFET系列:SI3工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:1.65 mm零件号别名:SI3446DV-E3单位重量:20 mg
- 更新：2022-08-03 09:17:58
