- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1511
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- 名称：SI3456BDV-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1.1 mm长度:3.05 mm产品类型:MOSFET系列:SI3工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:1.65 mm零件号别名:SI3456BDV-GE3单位重量:20 mg
- 更新：2022-08-03 09:14:12
- 1512
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- 名称：SI3456DDV-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:6.3 ARds On-漏源导通电阻:40 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极
- 更新：2022-08-03 09:08:13
- 1513
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- 名称：SI3457CDV-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:5.1 ARds On-漏源导通电阻:74 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极
- 更新：2022-08-02 15:57:34
- 1514
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- 名称：SI3457CDV-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:5.1 ARds On-漏源导通电阻:74 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极
- 更新：2022-08-02 15:54:14
- 1515
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- 名称：SI3460DV-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1.1 mm长度:3.05 mm产品类型:MOSFET系列:SI3工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:1.65 mm零件号别名:SI3460DV-E3单位重量:20 mg
- 更新：2022-08-02 15:52:11
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- 名称：SI3865CDV-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-6商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1.1 mm长度:3.05 mm产品类型:MOSFET系列:SI3工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:1.65 mm零件号别名:SI3865CDV-GE3单位重量:20 mg
- 更新：2022-08-02 15:50:29
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- 名称：SI4116DY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:25 VId-连续漏极电流:18 ARds On-漏源导通电阻:8.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:600 mVQg
- 更新：2022-08-02 15:48:37
- 1518
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- 名称：SI4128DY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:10.9 ARds On-漏源导通电阻:24 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅
- 更新：2022-08-02 15:46:28
- 1519
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- 名称：SI4134DY-T1-GE3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:14 ARds On-漏源导通电阻:14 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-栅
- 更新：2022-08-02 15:42:39
- 1520
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- 名称：SI4156DY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:24 ARds On-漏源导通电阻:6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.15 VQg-栅
- 更新：2022-08-02 15:40:42
