- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1521
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- 名称:SI4160DY-T1-GE3
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:25.4 ARds On-漏源导通电阻:4.9 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-
- 更新:2022-08-02 15:38:44
- 1522
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- 名称:SI4162DY-T1-GE3
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:19.3 ARds On-漏源导通电阻:7.9 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-
- 更新:2022-08-02 15:36:06
- 1523
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- 名称:SI4164DY-T1-GE3
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:3.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-
- 更新:2022-08-02 15:34:12
- 1524
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- 名称:SI4166DY-T1-GE3
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:30.5 ARds On-漏源导通电阻:3.9 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQ
- 更新:2022-08-02 15:32:10
- 1525
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- 名称:SI4168DY-T1-GE3
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:24 ARds On-漏源导通电阻:5.7 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
- 更新:2022-08-02 15:30:06
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8商标名:TrenchFET封装:Reel商标:Vishay / Siliconix高度:1.75 mm长度:4.9 mm产品类型:MOSFET系列:SI4工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs宽度:3.9 mm零件号别名:SI4890BDY-GE3单位重量:187 mg
- 更新:2022-08-02 15:28:09
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- 名称:SI4178DY-T1-GE3
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:21 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.4 VQg-栅
- 更新:2022-08-02 15:26:26
- 1528
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- 名称:SI4190ADY-T1-GE3
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:18.4 ARds On-漏源导通电阻:7.3 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
- 更新:2022-08-02 15:24:30
- 1529
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- 名称:SI4288DY-T1-GE3
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:9.2 ARds On-漏源导通电阻:20 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-
- 更新:2022-08-02 15:22:36
- 1530
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- 名称:SI4336DY-T1-E3
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SI4工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs零件号别名:SI4336DY-E3单位重量:187 mg
- 更新:2022-08-02 15:20:43