- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 601
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- 名称:DMN2004K-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:630 mARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅
- 更新:2022-08-22 14:35:41
- 602
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- 名称:DMN2004WK-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:540 mARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-
- 更新:2022-08-22 14:33:35
- 603
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- 名称:DMN2014LHAB-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:U-DFN2030-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:9 ARds On-漏源导通电阻:13 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-
- 更新:2022-08-22 14:31:28
- 604
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- 名称:DMN2016LHAB-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:U-DFN2030-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:7.5 ARds On-漏源导通电阻:30 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs t
- 更新:2022-08-22 14:26:55
- 605
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- 名称:DMN2016UTS-13
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:8.58 ARds On-漏源导通电阻:16.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅
- 更新:2022-08-22 14:22:55
- 606
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- 名称:DMN2020LSN-7
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.9 ARds On-漏源导通电阻:13 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅
- 更新:2022-08-22 14:18:58
- 607
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- 名称:DMN2023UCB4-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X1-WLB1818-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:24 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:27 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th
- 更新:2022-08-22 11:43:57
- 608
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- 名称:DMN2028UFDH-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerDI3030-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.8 ARds On-漏源导通电阻:16 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs
- 更新:2022-08-22 11:36:55
- 609
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- 名称:DMN2040LTS-13
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.7 ARds On-漏源导通电阻:19 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源
- 更新:2022-08-22 11:34:43
- 610
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- 名称:DMN2041L-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.4 ARds On-漏源导通电阻:20 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅
- 更新:2022-08-22 11:32:11