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深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 601
  • 名称:DMN2004K-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:630 mARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 14:35:41
  • 602
  • 名称:DMN2004WK-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:540 mARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-
    更新:2022-08-22 14:33:35
  • 603
  • 名称:DMN2014LHAB-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:U-DFN2030-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:9 ARds On-漏源导通电阻:13 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-
    更新:2022-08-22 14:31:28
  • 604
  • 名称:DMN2016LHAB-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:U-DFN2030-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:7.5 ARds On-漏源导通电阻:30 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs t
    更新:2022-08-22 14:26:55
  • 605
  • 名称:DMN2016UTS-13
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:8.58 ARds On-漏源导通电阻:16.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 14:22:55
  • 606
  • 名称:DMN2020LSN-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.9 ARds On-漏源导通电阻:13 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 14:18:58
  • 607
  • 名称:DMN2023UCB4-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X1-WLB1818-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:24 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:27 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th
    更新:2022-08-22 11:43:57
  • 608
  • 名称:DMN2028UFDH-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerDI3030-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.8 ARds On-漏源导通电阻:16 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs
    更新:2022-08-22 11:36:55
  • 609
  • 名称:DMN2040LTS-13
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.7 ARds On-漏源导通电阻:19 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源
    更新:2022-08-22 11:34:43
  • 610
  • 名称:DMN2041L-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.4 ARds On-漏源导通电阻:20 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 11:32:11
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