- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 611
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- 名称:DMN2065UW-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:3.1 ARds On-漏源导通电阻:56 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-
- 更新:2022-08-22 11:29:33
- 612
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- 名称:DMN2075U-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4.2 ARds On-漏源导通电阻:25 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V最小工作温度:- 5
- 更新:2022-08-22 11:24:44
- 613
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- 名称:DMN21D2UFB-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X1-DFN1006-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:760 mARds On-漏源导通电阻:990 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新:2022-08-22 11:22:57
- 614
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- 名称:DMN2300U-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.4 ARds On-漏源导通电阻:175 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源
- 更新:2022-08-22 11:18:35
- 615
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- 名称:DMN2300UFB4-7B
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X2-DFN1006-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.3 ARds On-漏源导通电阻:175 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs t
- 更新:2022-08-22 11:06:28
- 616
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- 名称:DMN2400UFB4-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X2-DFN1006-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:750 mARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVg
- 更新:2022-08-22 11:04:38
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- 名称:DMN2400UFB-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X1-DFN1006-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:750 mARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVg
- 更新:2022-08-22 11:00:24
- 618
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- 名称:DMN2400UV-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-563-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.33 ARds On-漏源导通电阻:480 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs t
- 更新:2022-08-22 10:41:59
- 619
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- 名称:DMN24H11DS-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:240 VId-连续漏极电流:270 mARds On-漏源导通电阻:11 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-
- 更新:2022-08-22 10:38:50
- 620
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- 名称:DMN2500UFB4-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X2-DFN1006-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:810 mARds On-漏源导通电阻:700 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 6 VVgs
- 更新:2022-08-22 10:33:34