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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别:VIP 7年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 621
  • 名称:DMN26D0UDJ-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-963-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:240 mARds On-漏源导通电阻:3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 10:30:02
  • 622
  • 名称:DMN26D0UFB4-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X2-DFN1006-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:240 mARds On-漏源导通电阻:3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs t
    更新:2022-08-22 10:28:22
  • 623
  • 名称:DMN26D0UT-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-523-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:230 mARds On-漏源导通电阻:3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 10:25:59
  • 624
  • 名称:DMN3016LSS-13
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:10.3 ARds On-漏源导通电阻:8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
    更新:2022-08-22 10:22:53
  • 625
  • 名称:DMN3051L-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:4.5 ARds On-漏源导通电阻:38 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 10:17:46
  • 626
  • 名称:DMN3052L-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:5.4 ARds On-漏源导通电阻:32 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V最小工作温度:-
    更新:2022-08-22 10:08:48
  • 627
  • 名称:DMN3150L-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:3.8 ARds On-漏源导通电阻:54 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 10:07:09
  • 628
  • 名称:DMN3150LW-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:28 VId-连续漏极电流:1.6 ARds On-漏源导通电阻:88 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-
    更新:2022-08-22 10:01:35
  • 629
  • 名称:DMN3404L-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:4.6 ARds On-漏源导通电阻:28 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 VVgs th-栅
    更新:2022-08-22 09:57:58
  • 630
  • 名称:DMN3730UFB4-7
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X2-DFN1006-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:730 mARds On-漏源导通电阻:460 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs
    更新:2022-08-22 09:55:59
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